Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces
Fermi level pinning alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge interfaces
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TiN、ZrN 和 HfN/Ge 界面处的费米能级钉扎减轻
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
