AUnAsSb separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes
AUnAsSb separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes
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DOI：
10.1063/1.4949335
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发表时间：
2016-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Ren;S. Maddox;M. Woodson;Yaojia Chen;S. Bank;J. Campbell
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Ren;S. Maddox;M. Woodson;Yaojia Chen;S. Bank;J. Campbell
我们报告AlxIn1−xAsj，Sb1− y为基础的独立吸收，电荷和倍增雪崩光电二极管（APD），工作在短波长红外光谱。这些APD表现出低的过量噪声因子，对应于k = 0.01，和低的暗电流。
We report AlxIn1−xAsj, Sb1−y-based separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes (APDs) that operate in the short-wavelength infrared spectrum. These APDs exhibit low excess noise factor, corresponding to k = 0.01, and low dark current.