A flexible organic pentacene nonvolatile memory based on high-κ dielectric layers
A flexible organic pentacene nonvolatile memory based on high-κ dielectric layers
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DOI：
10.1063/1.3046115
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发表时间：
2008-12-08
影响因子：
4
通讯作者：
Chin, Albert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chang, Ming-Feng;Lee, Po-Tsung;Chin, Albert
我们报告了一种在柔性聚酰亚胺基板上制造的并五苯薄膜晶体管非易失性存储器。该器件具有 12V 的低编程/擦除电压、1/100ms 的速度、2.4V 的初始存储窗口以及 48 小时后的 0.78V 存储窗口。这是通过使用高卡伯电介质作为电荷捕获、阻挡和隧道栅极绝缘层来实现的。
We report a pentacene thin film transistor nonvolatile memory fabricated on a flexible polyimide substrate. This device shows a low program/erase voltage of 12 V, a speed of 1/100 ms, an initial memory window of 2.4 V, and a 0.78 V memory window after 48 h. This has been achieved by using a high-kappa dielectric as charge trapping, blocking, and tunneling gate insulator layers.