Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs
Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs
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采用 NH3 脉冲流法生长扁平薄 p-GaN 接触层，用于高光提取 AlGaN 深紫外 LED
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Kamata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akiba;Y. Tomita;H. Hirayama;Y. Tsukada;N. Maeda;N. Kamata
