ON Current Boosting Technology for Si-based Tunnel Field-Effect Transistors Utilizing Isoelectronic Trap
ON Current Boosting Technology for Si-based Tunnel Field-Effect Transistors Utilizing Isoelectronic Trap
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利用等电子陷阱的硅基隧道场效应晶体管的导通电流升压技术
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takahiro Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Mori
