エピタキシャルグラフェン成長初期のC凝集課程 -SiC表面構造とCクラスター構造の相関-
エピタキシャルグラフェン成長初期のC凝集課程 -SiC表面構造とCクラスター構造の相関-
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石墨烯外延生长早期的C聚集过程 - SiC表面结构与C簇结构的相关性 -
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
井上 仁人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Iguchi;T. Kawamura;Y. Suzuki;M. Inoue;Y. Kangawa;and K. Kakimoto;井上 仁人
