Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
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使用 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/AlOx/Si 隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒在 Si 通道中进行自旋积累
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Satoshi Sugahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taiju Akushichi;Yota Takamura;Yusuke Shuto;and Satoshi Sugahara
