Sm~(3+)掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)–Bi_4Ti_3O_(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能
Sm~(3+)掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)–Bi_4Ti_3O_(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能
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DOI：
10.14062/j.issn.0454-5648.20190306
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
陈云婧
中科院分区：
文献类型：
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作者：
刘芳;江向平;陈超;黄枭坤;聂鑫;胡浩;苏春阳;陈云婧
采用固相法制备Sm~(3+)掺杂SrBi_(8–x)Sm_xTi_7O_(27)(SBT–BIT–xSm~(3+), 0≤x≤0.50)共生铋层状陶瓷,研究了不同掺杂量的Sm~(3+)对样品的结构、介电、压电以及光致发光性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的共生铋层状结构,XRD精修和 Ramam结果显示Sm~(3+)掺杂引起样品晶格畸变的减小,适量的Sm~(3+)掺杂降低了介电损耗tanδ,提升了压电常数d_(33),当x=0.30时,综合电性能最佳:压电常数d_(33)=16.3 pC/N,tanδ=0.90%。在407 nm近紫外光的激发下,SBT–BIT–xSm~(3+)陶瓷样品在598 nm处存在最强的红橙光发射,当x=0.15时,发光强度达到最佳,Sm~(3+)掺杂SBT–BIT共生铋层状陶瓷在光-电多功能器件等领域中具有潜在的应用前景。