Naフラックス法におけるポイントシード上GaN結合結晶の膜厚と反りの関係
Naフラックス法におけるポイントシード上GaN結合結晶の膜厚と反りの関係
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Na助熔剂法点晶种上GaN键合晶体膜厚与翘曲的关系
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
今西正幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Goto A;Egawa T;Sakon I;Oshima R;Ito K;Serizawa Y;Sekine K;Tsuda S;Goto K;Hayashi T;今西正幸
