3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析
3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析
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使用 3D 原子探针分析 MOS 晶体管中的掺杂剂分布
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
井上耕治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高見澤悠;井上耕治;矢野史子;角村貴昭;西田彰男;外山健;永井康介;長谷川雅幸;井上耕治;井上耕治
