Rethinking DRAM's page mode with STT-MRAM
Rethinking DRAM's page mode with STT-MRAM
复制标题
使用 STT-MRAM 重新思考 DRAM 的页面模式
DOI：
10.1109/tc.2022.3207131
复制
发表时间：
2022
影响因子：
3.7
通讯作者：
Mudge, Trevor
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Oh, Byoungchan;Abeyratne, Nilmini;Kim, Nam Sung;Ahn, Jeongseob;Dreslinski, Ronald G.;Mudge, Trevor
