GaNおよびInGaN/GaN量子井戸のエッチング初期過程とPL特性
GaNおよびInGaN/GaN量子井戸のエッチング初期過程とPL特性
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GaN和InGaN/GaN量子阱的初始刻蚀工艺和PL特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松本
中科院分区：
文献类型：
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作者：
斎藤;木川;小林;山本;伴;松本
