Schottky barrier control between indium tin oxide and WSe2 for fabrication of transition metal dichalcogenide-based transparent solar cell
Schottky barrier control between indium tin oxide and WSe2 for fabrication of transition metal dichalcogenide-based transparent solar cell
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氧化铟锡和WSe2之间的肖特基势垒控制用于制造过渡金属二硫属化物基透明太阳能电池
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yamaguchi;W. Okita;C. Li;T. Kaneko;and T. Kato
