Masahiro Yoshimoto: "Growth of Iuminescent GaAsP on Si substrate by metalorganic moleculer beam epitaxy using GaP buffer layer" Japanese J.Applied Physics. 37(印刷中). (1998)
Masahiro Yoshimoto: "Growth of Iuminescent GaAsP on Si substrate by metalorganic moleculer beam epitaxy using GaP buffer layer" Japanese J.Applied Physics. 37(印刷中). (1998)
复制标题
Masahiro Yoshimoto：“使用 GaP 缓冲层通过金属有机分子束外延在 Si 衬底上生长发光 GaAsP”，日本应用物理杂志 37（出版中）。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
