Formation of pn junction in 4H-SiC by irradiation of excimer laser in phosphoric solution
Formation of pn junction in 4H-SiC by irradiation of excimer laser in phosphoric solution
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准分子激光在磷溶液中照射在4H-SiC中形成pn结
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Asano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nishi;A. Ikeda;D. Marui;H. Ikenoue;T. Asano
