SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
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同时光学和电激发过程中 SiC 器件中产生的硅空位的光学特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島 武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山﨑 雄一;千葉 陽史;佐藤 真一郎;牧野 高紘;山田 尚人;佐藤 隆博;土方 泰斗;児嶋 一聡;土田 秀一;星乃 紀博;大島 武
