:M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Yamaguchi, C.Wetzel, H.Amano and I.Akasaki: "Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN" Jpn
:M.Iwaya, T.Takeuchi, S.Yamaguchi, C.Wetzel, H.Amano and I.Akasaki: "Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN" Jpn
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：M.Iwaya、T.Takeuchi、S.Yamaguchi、C.Wetzel、H.Amano 和 I.Akasaki：“通过插入低温沉积层来降低蓝宝石上有机金属气相外延生长 GaN 中的蚀刻坑密度
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