希薄窒化GaNAs量子井戸とInAs量子ドットのトンネル結合における電子スピン増幅ダイナミクス；GaNAs井戸配置の影響
希薄窒化GaNAs量子井戸とInAs量子ドットのトンネル結合における電子スピン増幅ダイナミクス；GaNAs井戸配置の影響
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稀氮化物 GaN 量子阱和 InAs 量子点之间隧道耦合中的电子自旋放大动力学对 GaN 阱排列的影响；
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村山明宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤紫乃;樋浦諭志;髙山純一;村山明宏
