Heusler-alloy films for spintronic devices
Heusler-alloy films for spintronic devices
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DOI：
10.1007/s00339-013-7679-2
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发表时间：
2013-05-01
影响因子：
2.7
通讯作者：
Lazarov, Vlado K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hirohata, Atsufumi;Sagar, James;Lazarov, Vlado K.
下一代磁存储器需要一个理想的自旋极化电子源，可以通过使用半金属的Heusler合金膜来实现。对于Heusler合金膜的实现，关键是实现大量的相干磁化反转和高界面原子有序。在这篇综述中，我们提出了解决方案，以满足这些要求，通过测量激活体积和观察截面原子结构。我们发现，多晶薄膜具有10倍以上的激活体积比外延的，也形成完美有序的晶相。这些特性对于Heusler合金薄膜在未来磁存储器中的应用是非常有用的。
The next generation of magnetic memories requires an ideal spin-polarised electron source, achievable by using a half-metallic Heusler-alloy film. For Heusler-alloy film implementation, it is critical to realise both large volumes of coherent magnetisation reversal and high interfacial atomic ordering. In this review we present solutions to satisfy these requirements by measuring activation volumes and observing cross-sectional atomic structures. We find that polycrystalline thin films possess 10 times larger activation volumes than epitaxial ones and also form the perfectly ordered crystalline phase. These features are very useful for the application of Heusler-alloy films in a future magnetic memory.