Observations of irradiation-induced defect formation on Si (111) surface by a linked facility between an ion accelerator and STM
Observations of irradiation-induced defect formation on Si (111) surface by a linked facility between an ion accelerator and STM
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通过离子加速器和 STM 之间的连接装置观察 Si (111) 表面辐照诱导缺陷形成
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Okita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Sato;T. Kikuchi;K. Murakami;S. Miyashiro;T. Okita
