Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures
Reduction of Write Current in Phase-Change Memory by Incorporating Self-Assembled Nanostructures
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通过结合自组装纳米结构来减少相变存储器中的写入电流
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;and S. Hosaka
