A 4″ wafer photostepper-based carbon nanotube FET technology for RF applications

A 4″ wafer photostepper-based carbon nanotube FET technology for RF applications
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用于 RF 应用的基于 4 英寸晶圆光步进器的碳纳米管 FET 技术

DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
影响因子：
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通讯作者：
S. McKernan
S. McKernan
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M. Schroter;P. Kolev;D. Wang;M. Eron;S. Lin;N. Samarakone;M. Bronikowski;Z. Yu;P. Sampat;P. Syams;S. McKernan

文献摘要

被引文献

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采用光刻工艺在4″晶片上制备了耗尽型CNTF薄膜。晶体管显示出显著的电流和功率增益，峰值（fT，fmax）为（9，10）GHz。紧凑的模型结果进行了比较偏置和频率的实验特性。还示出了第一RF放大器电路结果。
Depletion-mode CNTFETs have been fabricated on 4″ wafers with a photostepper-based process. The transistors show significant current and power gain with peak (fT, fmax) values of (9, 10) GHz. Compact model results are compared to experimental characteristics over bias and frequency. First RF amplifier circuit results are also shown.