Formation of InGaN quantum-dots in the regularly arranged GaN nanocolumns grown by Rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Formation of InGaN quantum-dots in the regularly arranged GaN nanocolumns grown by Rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
复制标题
通过射频等离子体辅助分子束外延生长的规则排列的 GaN 纳米柱中形成 InGaN 量子点
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Kikuchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Sekiguchi;K.Kishino;K.Kato;J.Tanaka;A.Kikuchi
