コンタクトエピタキシャル法を用いたSi上Ce:YIG薄膜の結晶化の基礎検討
コンタクトエピタキシャル法を用いたSi上Ce:YIG薄膜の結晶化の基礎検討
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接触外延法在Si上结晶Ce:YIG薄膜的基础研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
庄司雄哉
中科院分区：
文献类型：
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作者：
飯島 夏来;石黒 一希;武田 正行;中津原 克己;野毛 悟; 水本 哲弥;庄司雄哉
