Residual Voids in Degassing Process of Encapsulation Gel for Power Semiconductor Devices
Residual Voids in Degassing Process of Encapsulation Gel for Power Semiconductor Devices
复制标题
功率半导体器件封装胶脱气过程中的残留空洞
DOI：
10.1541/ieejfms.134.432
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发表时间：
2014
影响因子：
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通讯作者：
佐藤正寛，熊田亜紀子，日高邦彦，山城啓輔，早瀬悠二，高野哲美
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Kikuchi;K. Yamashita;A. Kumada;K. Hidaka;K. Tatamidani and T. Masuda;Yuki Inada;佐藤正寛，熊田亜紀子，日高邦彦，山城啓輔，早瀬悠二，高野哲美
