A novel growth strategy and characterization of fully relaxed un-tilted FCC GaAs on Si(1 0 0)
A novel growth strategy and characterization of fully relaxed un-tilted FCC GaAs on Si(1 0 0)
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Si(1 0 0) 上完全松弛无倾斜 FCC GaAs 的新颖生长策略和表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Biswas
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Mukhopadhyay;Rahul Kumar;Saptarsi Ghosh;A. Chakraborty;A. Bag;S. Kabi;P. Banerji;D. Biswas
