A Study of the Diffusion of Indium into TaS2 and TaSe2 in a Scanning Electron Microscope
A Study of the Diffusion of Indium into TaS2 and TaSe2 in a Scanning Electron Microscope
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DOI：
10.1002/pssa.2211080207
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发表时间：
1988-08
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Rajora;A. Curzon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Rajora;A. Curzon
利用扫描电子显微镜和能量色散x射线分析仪，原位研究了铟在TaS2和TaS2单晶中的热扩散过程。扩散过程引起晶体畸变，这可以通过扫描电子显微镜观察到。在不同温度T下，从x射线线扫描和扩散次数得到扩散系数D。ln D与1/T的关系图表明，In/TaS2D0 = 6.7 × 10−7 m2 s−1,E0 = 0.28 eV mol−1;In/TaS2D0 = 2.65 × 10−6 m2 s−1,E0 = 0.44 eV mol−1，可以用扩散常数D0和活化能E0来表征扩散。透射电子衍射研究表明，在TaS2和TaSe2中热扩散的铟有序度随着温度从室温降低到100 K而增加。这些图案表明存在方向性变异。在InxTaS2 （x≦0.2）中，观察到矩形，超晶格的三个方向变体，其中a0是TaS2的基面晶格向量。在rasterelekronenmicroskop中，使用了一种能量色散式rongen分析仪，并在TaS2-和TaS2- einkristalverwenet中进行了原位热扩散实验。模具扩散重叠平行于Schichten。Der Diffusionsprozes verursacht Kristallverspannungen, die mit dem Rasterelektronenmikroskop verfolgt werden。模具扩散效率的研究：非晶片温度的研究：模具扩散效率的研究：模具扩散效率的研究。对In/TaSe2D0 = 6,7 × 10−7 m2 s−1,E0 = 0,28 eV mol−1,In/TaSe2D0 = 2,65 × 10−6 m2 s−1,E0 = 0,44 eV mol−1进行了优化。透射selmissionselektronenmicroskopische Untersuchungen zeigen，该研究表明，在TaS2和TaS2秩序中，铟的热差异是存在的，并且在100 K zimmt下的温度下，铟的热差异是存在的。Die Ergebnisse weisen auf das Vorhandensein von Orientierungsvarianten hin。InxTaS2 （x≦0,2）是一种定向的方法，它是一种变异的技术-Supergitters的方法，它是一种用于TaS2列表的基于基向量。
A scanning electron microscope equipped with an energy-dispersive X-ray analyser is used to study in situ the thermal diffusion of indium into single crystals of TaS2 and TaSe2, the diffusion being parallel to the layers. The diffusion process causes distortion of the crystals which can be observed by scanning electron microscopy. The diffusion coefficients D are obtained at various temperatures, T, from the X-ray line scans and the times of diffusion. Graphs of ln D versus 1/T show that the diffusion can be characterised by D0 a diffusion constant and E0 an activation energy where for In/TaS2D0 = 6.7 × 10−7 m2 s−1, E0 = 0.28 eV mol−1 and for In/TaSe2D0 = 2.65 × 10−6 m2 s−1 and E0 = 0.44 eV mol−1. Transmission electron diffraction studies show that thermally diffused indium orders in TaS2 and in TaSe2 and that the ordering increases as the temperature is reduced from room temperature to 100 K. The patterns indicate the presence of orientational variants. In InxTaS2 (x ≦ 0.2) three orientation variants of a rectangular, , superlattice have been observed where a0 is a basal plane lattice vector for TaS2. Ein Rasterelektronenmikroskop, das mit einem energiedispersiven Rontgenanalysator ausgerustet ist, wird zur in-situ-Untersuchung der thermischen Diffusion von In in TaS2- und TaSe2- Einkristallen verwendet. Die Diffusion erfolgt parallel zu den Schichten. Der Diffusionsprozes verursacht Kristallverspannungen, die mit dem Rasterelektronenmikroskop verfolgt werden. Die Diffusionskoeffizienten D werden bei unterschiedlichen Temperaturen mit Hilfe der Rontgenstrahllinienraster und aus den Diffusionszeiten ermittelt. Auftragung von ln D uber 1/T zeigt, das die Diffusion durch die Diffusionskonstante D0 und die Aktivierungsenergie E0 bestimmt sind, wobei fur In/TaS2D0 = 6,7 × 10−7 m2 s−1, E0 = 0,28 eV mol−1 und fur In/TaSe2D0 = 2,65 × 10−6 m2 s−1 und E0 = 0,44 eV mol−1 ist. Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zeigen, das sich das thermisch diffundierte Indium in TaS2 und TaSe2 ordnet und das die Ordnung mit Temperaturabnahme von Raumtemperatur auf 100 K zunimmt. Die Ergebnisse weisen auf das Vorhandensein von Orientierungsvarianten hin. InxTaS2 (x ≦ 0,2) werden drei Orientierungsvarianten eines rechteckigen -Supergitters gefunden, wobei a0 ein ebener Basisgittervektor fur TaS2 ist.