K.Takakura, T.Suemasu, N.Hiroi and F.Hasegawa: "Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si (001) by High Temperature Annealing"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39, No.3A/B. L233-L236 (2000)
K.Takakura, T.Suemasu, N.Hiroi and F.Hasegawa: "Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si (001) by High Temperature Annealing"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39, No.3A/B. L233-L236 (2000)
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K.Takakura、T.Suemasu、N.Hiroi 和 F.Hasekawa：“通过高温退火改善 Si (001) 上 β-FeSi_2 薄膜的电性能”Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.39， No.3A/B。L233-L236 (2000)
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