Advances in Millimetre-Wave III-N Transistor Performance Through Polarization-Graded Heterostructures

Advances in Millimetre-Wave III-N Transistor Performance Through Polarization-Graded Heterostructures
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通过极化分级异质结构提高毫米波 III-N 晶体管性能

DOI：
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发表时间：
2024
期刊：
IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM
影响因子：
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通讯作者：
Fay, P.
Fay, P.
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Fay, P.

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