High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy
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横向液相外延制备高迁移率绝缘体上Ge p沟道MOSFET
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Suzuki;S. Ogiwara;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
