Thin Film Synthesis of Ti3SiC2 by Rapid Thermal Processing of Magnetron‐Sputtered TiCSi Multilayer Systems
Thin Film Synthesis of Ti3SiC2 by Rapid Thermal Processing of Magnetron‐Sputtered TiCSi Multilayer Systems
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磁控溅射 TiCSi 多层系统快速热处理合成 Ti3SiC2 薄膜
DOI：
10.1002/adem.201200180
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发表时间：
2013
影响因子：
3.6
通讯作者：
Schaaf
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hopfeld;Marcus ;Grieseler;Thomas ;Marcus ;Schaaf
MAX 相涂层可以在许多领域具有有趣的技术应用。本文描述了通过在Si(100)和SiO2基底上物理气相沉积TiCSi多层薄膜的快速热退火过程合成Mn+1AXn相Ti3SiC2。 800–1000°C 的退火温度影响钛、碳和硅的固态反应，生成碳化钛、硅化物和 Ti3SiC2。通过掠入射X射线衍射、透射电子显微镜和辉光放电发射光谱观察了薄膜的结构和化学成分。快速热处理后的分析表明，即使在 0 秒的退火过程中，也会形成与 TiSi2、TiC 和 Ti5Si3 共存的多晶 Mn+1AXn 相 Ti3SiC2。这种合成方法对于形成 MAX 相作为高温电接触材料具有很高的潜力。
MAX phase coating could have interesting technical applications in many fields. This paper describes the synthesis of the Mn+1AXnphase Ti3SiC2by a rapid thermal annealing process of physical vapor deposited TiCSi multilayer thin films on Si (100) and SiO2substrates. Annealing temperatures of 800–1000 °C affected the solid state reaction of titanium, carbon and silicon creating titanium‐carbides, ‐silicides, and Ti3SiC2. The film structures and chemical compositions were observed by grazing incidence X‐ray diffraction, transmission electron microscopy, and glow discharge optical emission spectroscopy. Analysis after the rapid thermal processing revealed the formation of the polycrystalline Mn+1AXnphase Ti3SiC2in coexistence with TiSi2, TiC and Ti5Si3, even within a 0 s annealing process. This synthesis method has a high potential for the formation of MAX phases as a high temperature electrical contact material.
外延 Ti3SiC2∕TiC0.67 纳米层压板的侵入型变形
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
O. Wilhelmsson;P. Eklund;F. Giuliani;H. Högberg;L. Hultman;U. Jansson
通讯作者：
U. Jansson