Effect of the adatom presence on stabilizing Si(111)-n x n dimer-adatom-stacking-fault structures.
Effect of the adatom presence on stabilizing Si(111)-n x n dimer-adatom-stacking-fault structures.
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吸附原子的存在对稳定 Si(111)-n x n 二聚体吸附原子堆积断层结构的影响。
DOI：
10.1103/physrevb.52.10784
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ohdomari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kumamoto;Hoshino;Kokubun;Ishimaru;Ohdomari
用高温扫描隧道显微镜在470 ℃左右观察了从1100 ℃淬火的Si（111）表面。研究了11× 11和13× 13二聚体吸附原子层错（DAS）结构亚稳层错（SF）半胞中Si吸附原子的动力学运动。在470 ℃的高温下，吸附原子在这些SF半电池上不断地改变它们的位置.大多数内部吸附原子比角落或中心吸附原子更容易从SF半电池中逃逸。这表明内部吸附原子对n× nDAS结构的稳定几乎没有贡献。
Si (111) surfaces quenched from 1100 C have been observed at around 470 C using high-temperature scanning tunneling microscopy. We closely investigated dynamic motion of Si adatoms in the metastable stacking fault (SF) half cells of 11× 11 and 13× 13 dimer adatom stacking fault (DAS) structures. On these SF half cells adatoms continually change their positions at high temperature of 470 C. Most of the interior adatoms escape from the SF half cells more easily than the corner or center adatoms. This indicates that the interior adatoms hardly contribute to the stabilization of n× n DAS structures.