Characterization of Single-Event Upsets Induced by High-LET Heavy Ions in 16-nm Bulk FinFET SRAMs
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DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赵振宇
中科院分区：
文献类型：
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作者：
池雅庆;黄鹏程;孙乾;梁斌;赵振宇
