Tuning metal-insulator transition by one dimensional alignment of giant electronic domains in artificially size-controlled epitaxial VO_2 wires
Tuning metal-insulator transition by one dimensional alignment of giant electronic domains in artificially size-controlled epitaxial VO_2 wires
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通过人工尺寸控制外延 VO_2 线中巨型电子域的一维对准来调节金属-绝缘体转变
DOI：
10.1063/1.4773371
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Takami;et al.
