Polarity inversion of scandium aluminum nitride (ScAlN) piezoelectric thin films by using Ge addition
Polarity inversion of scandium aluminum nitride (ScAlN) piezoelectric thin films by using Ge addition
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通过添加 Ge 实现氮化钪铝 (ScAlN) 压电薄膜的极性反转
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Morito Akiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sri Ayu Anggraini;Masato Uehara;Kenji Hirata;Hiroshi Yamada;Morito Akiyama
