Tensile Testing of Single Crystal Silicon Thin Films at 800℃ using IR Heating
Tensile Testing of Single Crystal Silicon Thin Films at 800℃ using IR Heating
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使用红外加热进行 800℃ 单晶硅薄膜拉伸测试
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ikeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ohta;K.;Onoda;S.;Hirose;K.;Sinmyo;R.;Shimizu;K.;Sata;N.;Ohishi;Y.;Yasuhara;A.;T. Ikeda
