Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析-Ruの実効仕事関数変化の起源-
Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析-Ruの実効仕事関数変化の起源-
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Ru/HfSiON 栅堆叠的背面 X 射线光电子能谱分析 - Ru 有效功函数变化的起源 -
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森大樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masahiro Hamano;Ryo Takemura;Ryo Takemura;Mitsuhiro Okada;T. Hosoi;A. Ohta;K. Iwamoto;大田晃生;貫目大介;要垣内亮;小埜芳和;A. Ohta;H. Murakami;S. Miyazaki;K. Shiraishi;大田晃生;森大樹
