The transition from As-doped GaN, showing blue emission, to GaNAs alloys in films grown by molecular beam epitaxy
The transition from As-doped GaN, showing blue emission, to GaNAs alloys in films grown by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延生长的薄膜中从显示蓝色发射的 As 掺杂 GaN 到 GaNAs 合金的转变
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. T. Foxon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Novikov;A. J. Winser;A. Bell;I. Harrison;Tian Li;R. Campion;C. R. Staddon;C. S. Davis;F. Ponce;C. T. Foxon
