Formation process of metastable Al-doped HfO2 thin films phases and directly on Si by atomic layer deposition
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原子层沉积直接在 Si 上形成亚稳态 Al 掺杂 HfO2 薄膜的过程
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Takarae;K. Takada;D. Kiriya;A. Ashida;T. Yoshimura;and N. Fujimura
