エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成
エピタキシャル成長による4H-SiC CMOS Well形成
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通过外延生长形成 4H-SiC CMOS 阱
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
黒木 伸一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
甲斐 陶弥 ;児島一聡;志摩 拓真;大島 武;田中 保宣;黒木 伸一郎
