Elena Nazvanova 他4名: "Inter-Valence-Band Electronic Raman Scattering due to Photoexcited Holes in Si_xGe_<1-x>"Physical Review B. (印刷中).
Elena Nazvanova 他4名: "Inter-Valence-Band Electronic Raman Scattering due to Photoexcited Holes in Si_xGe_<1-x>"Physical Review B. (印刷中).
复制标题
Elena Nazvanova 和其他 4 人:“Si_xGe_<1-x> 中光激发空穴引起的价带间电子拉曼散射”物理评论 B.(正在出版)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: