Quantitative material analysis using secondary electron energy spectromicroscopy.
Quantitative material analysis using secondary electron energy spectromicroscopy.
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使用二级电子能谱检查的定量材料分析。
DOI：
10.1038/s41598-020-78973-0
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发表时间：
2020-12-17
影响因子：
4.6
通讯作者：
Khursheed A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han W;Zheng M;Banerjee A;Luo YZ;Shen L;Khursheed A
本文演示了如何使用扫描电子显微镜 (SEM) 内执行的二次电子能谱 (SEES) 绘制样品原子序数并在低主束电压下获取体价带态密度 (DOS) 信息。该技术使用电子能量分析仪附件来检测散射二次电子（SE）光谱形状的微小变化，并从中提取精细结构特征。六个不同测试样品的实验和理论体价带 DOS 分布之间非常一致，其中归一化均方根偏差范围为 2.7% 至 6.7%。以前似乎没有报道过这种高精度水平。本文提出的结果表明 SEES 成为低压扫描电子显微镜 (LVSEM) 的定量材料分析配套工具，并为扫描俄歇显微镜 (SAM) 仪器提供新的应用。
This paper demonstrates how secondary electron energy spectroscopy (SEES) performed inside a scanning electron microscope (SEM) can be used to map sample atomic number and acquire bulk valence band density of states (DOS) information at low primary beam voltages. The technique uses an electron energy analyser attachment to detect small changes in the shape of the scattered secondary electron (SE) spectrum and extract out fine structure features from it. Close agreement between experimental and theoretical bulk valance band DOS distributions was obtained for six different test samples, where the normalised root mean square deviation ranged from 2.7 to 6.7%. High accuracy levels of this kind do not appear to have been reported before. The results presented in this paper point towards SEES becoming a quantitative material analysis companion tool for low voltage scanning electron microscopy (LVSEM) and providing new applications for Scanning Auger Microscopy (SAM) instruments.
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DOI：
10.3390/nano8050284
发表时间：
2018-04-27
期刊：
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Cattelan M;Fox NA
通讯作者：
Fox NA
DOI：
10.1016/0368-2048(79)80015-8
发表时间：
1979-01-01
影响因子：
1.9
作者：
BINDI, R;LANTERI, H;ROSTAING, P
通讯作者：
ROSTAING, P
影响因子：
3.2
作者：
EVERHART, TE;SAEKI, N;KOSHIKAWA, T
通讯作者：
KOSHIKAWA, T
影响因子：
2.7
作者：
HOFFMAN, A;NYBERG, GL;PRAWER, S
通讯作者：
PRAWER, S
影响因子：
--
作者：
Davey, WP
通讯作者：
Davey, WP