Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures
Transparent Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory Operation using BLT/ITO Structures
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使用 BLT/ITO 结构进行非易失性存储器操作的透明铁电栅薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Etsu Shin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Eisuke Tokumitsu;Masaru Senoo;Etsu Shin
