Atomically-engineered epitaxial anatase TiO2 metal-semiconductor field-effect transistors
Atomically-engineered epitaxial anatase TiO2 metal-semiconductor field-effect transistors
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原子工程外延锐钛矿型 TiO2 金属半导体场效应晶体管
DOI：
10.1063/1.5024418
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Y. Hwang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. S. Y. Kim;M. Minohara;Y. Hikita;C. Bell;and H. Y. Hwang
