Electron-beam doping of Si into GaAs: The annealing behaviour of photoluminescence
Electron-beam doping of Si into GaAs: The annealing behaviour of photoluminescence
复制标题
Si 电子束掺杂到 GaAs 中：光致发光的退火行为
DOI：
10.1016/0168-583x(89)90201-2
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发表时间：
1989
影响因子：
1.3
通讯作者：
A. Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Wada;A. Takeda
