Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p－n diodes
Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p－n diodes
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独立式 GaN 衬底上 MOVPE 生长的同质外延层中螺旋位错和纳米管的生成以及对垂直 p－n 二极管的电学影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeyoshi Usami;Atsushi Tanaka;Hayata Fukushima;Yuto Ando;Manato Deki;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
