Investigation of the interface electronic characteristics of β-Ga2O3 (1 0 0)/4H-SiC (0 0 0 1)
Investigation of the interface electronic characteristics of β-Ga2O3 (1 0 0)/4H-SiC (0 0 0 1)
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β-Ga2O3 (1 0 0)/4H-SiC (0 0 0 1) 界面电子特性研究
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126951
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发表时间：
2023
影响因子：
1.8
通讯作者：
Hongbin Pu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bei Xu;Jichao Hu;Jiaqi Meng;Xiaomin He;Hongjuan Cheng;Jian Wang;Xi Wang;Hongbin Pu
