T.Ohmi: "Improvement of Gate Oxide Reliability for Tantalum-Gate MOS Devices Using Xenon Plasma Sputtering Technology"IEEE Trans. On Electron Devices. 45.11. 2349-2354 (1998)
T.Ohmi: "Improvement of Gate Oxide Reliability for Tantalum-Gate MOS Devices Using Xenon Plasma Sputtering Technology"IEEE Trans. On Electron Devices. 45.11. 2349-2354 (1998)
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T.Ohmi：“使用氙等离子体溅射技术提高钽栅 MOS 器件的栅氧化物可靠性”IEEE Trans。
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