Site-control growth of InAs nano-dot on GaAs (001) by STMBE
Site-control growth of InAs nano-dot on GaAs (001) by STMBE
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STMBE 在 GaAs (001) 上位点控制生长 InAs 纳米点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東條孝志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市來龍大;金澤誠司;赤峰修一;他4名;赤峰修一;齋藤正親;齋藤正親;東條孝志;東條孝志;東條孝志;東條孝志;東條孝志;東條孝志
