Analysis of Modified Layer Formation into Silicon Wafer by Permeable Nanosecond Laser
Analysis of Modified Layer Formation into Silicon Wafer by Permeable Nanosecond Laser
复制标题
透过纳秒激光对硅片改性层形成的分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Etsuji Ohmura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Etsuji Ohmura;Kazufumi Nomura;Takeshi Monodane;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura
